HOSQ系列
HOSQ-03
以四氯化硅为原料,采用VAD法典型制造,具有低羟基、低金属杂质含量等特性,吸收系数低,光学均匀性好,可应用于IC光掩模基板、工业激光聚焦准直镜、激光光纤端帽、高能激光光学元件的制造。

以四氯化硅为原料,采用VAD法典型制造,具有低羟基、低金属杂质含量等特性,吸收系数低,光学均匀性好,可应用于IC光掩模基板、工业激光聚焦准直镜、激光光纤端帽、高能激光光学元件的制造。
| 型号 Product Type | HOSQ-03 Standard | HOSQ-03 KrF/ArF |
| 金属杂质 Metalimpuri-ties(ppb) | <100 | <50 |
| 羟基 oH (ppm) | <1 | <1 |
| 均匀性 Homogeneity | I级:<5x10-6 II级:<10x10-6 III级:<20x10-6 | I级:<5x10-6 II级:<10x10-6 III级:<20x10-6 |
| 条纹 Striae | 1D | 3D |
| 应力双折射 Birefringence (nm/cm) | <5 | <5 <3 |
| 尺寸 Size(mm) | 500x500 | D300 |
| 推荐应用领域 Application | 高功率激光 High Power Laser | 光掩模基板(UV) Photomask(UV) |
| 项目 | 应变温度 | 退火温度 | 软化温度 | 导热系数 | 热扩散系数 | 热膨胀系数 | 比热容 |
| 单位 | ℃ | ℃ | ℃ | W/m·K | 10-7m²/s | 10-7/C | J/kg·K |
| 数值 | 1060 | 1180 | 1650 | 1.38 | 8.05 | 5.5 | 750 |
| 项目/ltem | 单位/Unit | 数值/Value |
| 泊松比/Poisson's Ratio | / | 1060 |
| 杨氏模量/Young'sModulus | Gpa | 1180 |
| 剪切模量/Shear Modulus | Gpa | 1650 |
| 抗奇强度/Bending Strength | Mpa | 1.38 |
| 抗压强度/Compressive Strength | Mpa | 8.05 |
| 拉伸强度/Tensile Strength | Mpa | 5.5 |
| 抗扭强度/Torsion Strength | Mpa | 750 |
| 项目/ltem | 单位/Unit | 数值/Value |
| 介电常数/Dielectric Constant | / | 3.8 |
| 电阻/Resistance | Ω | 8*1015 |
| 电阳率/Volume Resistance | Ω·cm | >1X1016 |