HOSQ系列

HOSQ-03

以四氯化硅为原料,采用VAD法典型制造,具有低羟基、低金属杂质含量等特性,吸收系数低,光学均匀性好,可应用于IC光掩模基板、工业激光聚焦准直镜、激光光纤端帽、高能激光光学元件的制造。

产品尺寸

型号
Product Type
HOSQ-03 Standard

HOSQ-03

KrF/ArF

金属杂质
Metalimpuri-ties(ppb)
<100<50
羟基
oH (ppm)
<1<1
均匀性
Homogeneity
I级:<5x10-6
II级:<10x10-6
III级:<20x10-6
I级:<5x10-6
II级:<10x10-6
III级:<20x10-6
条纹
Striae
1D3D
应力双折射
Birefringence (nm/cm)

<5

<5

<3

尺寸
Size(mm)
500x500

D300

推荐应用领域
Application

高功率激光

High Power Laser

光掩模基板(UV)

Photomask(UV)








热学性能

ScreenShot_2025-12-09_113637_213.png                           

项目应变温度退火温度软化温度导热系数热扩散系数热膨胀系数比热容
单位W/m·K10-7m²/s10-7/CJ/kg·K
数值1060118016501.388.055.5750
机械性能
项目/ltem单位/Unit数值/Value
泊松比/Poisson's Ratio/1060
杨氏模量/Young'sModulusGpa1180
剪切模量/Shear ModulusGpa1650
抗奇强度/Bending StrengthMpa1.38
抗压强度/Compressive StrengthMpa8.05
拉伸强度/Tensile StrengthMpa5.5
抗扭强度/Torsion StrengthMpa750
电学性能
项目/ltem单位/Unit数值/Value
介电常数/Dielectric Constant/3.8
电阻/ResistanceΩ8*1015
电阳率/Volume ResistanceΩ·cm>1X1016