HOSQ系列
HOSQ-02
以四氯化硅为原料,采用CVD法制造,具有大尺寸、高羟基含量等特性,光学均匀性好,可应用于LCD光掩模基板、高能激光光学元件和半导体石英器件的制造。

以四氯化硅为原料,采用CVD法制造,具有大尺寸、高羟基含量等特性,光学均匀性好,可应用于LCD光掩模基板、高能激光光学元件和半导体石英器件的制造。
| 型号 Product Type | HOSQ-02 |
| 金属杂质 Metalimpuri-ties(ppb) | <1000 |
| 羟基 oH (ppm) | <1200 |
| 均匀性 Homogeneity | NS |
| I级:<5x10-6 II级:<10x10-6 III级:<20x10-6 | |
| 条纹 Striae | 1D |
| 应力双折射 Birefringence (nm/cm) | <10 <5 |
| 尺寸 Size(mm) | D300-1500 |
| D300-800 | |
| 推荐应用领域 Application | 平板显示 Flat Panel Display 半导体石英器件 Semiconductor Quartz Device |
| 高能激光装置 High Energy Laser |
| 项目 | 应变温度 | 退火温度 | 软化温度 | 导热系数 | 热扩散系数 | 热膨胀系数 | 比热容 |
| 单位 | ℃ | ℃ | ℃ | W/m·K | 10-7m²/s | 10-7/C | J/kg·K |
| 数值 | 960 | 1080 | 1600 | 1.38 | 8.17 | 5.5 | 750 |
| 项目/ltem | 单位/Unit | 数值/Value |
| 泊松比/Poisson's Ratio | / | 1060 |
| 杨氏模量/Young'sModulus | Gpa | 1180 |
| 剪切模量/Shear Modulus | Gpa | 1650 |
| 抗奇强度/Bending Strength | Mpa | 1.38 |
| 抗压强度/Compressive Strength | Mpa | 8.05 |
| 拉伸强度/Tensile Strength | Mpa | 5.5 |
| 抗扭强度/Torsion Strength | Mpa | 750 |
| 项目/ltem | 单位/Unit | 数值/Value |
| 介电常数/Dielectric Constant | / | 3.8 |
| 电阻/Resistance | Ω | 8*1015 |
| 电阳率/Volume Resistance | Ω·cm | >1X1016 |